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发明名称 INSULATED-GATE FIEID-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH02309679(A) 申请公布日期 1990.12.25
申请号 JP19890131086 申请日期 1989.05.24
申请人 FUJI ELECTRIC CO LTD 发明人 UENO KATSUNORI
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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