发明名称 |
ULTRATHIN SUBMICRON MOSFET WITH INTRINSIC CHANNEL. |
摘要 |
Le transistor à effet de champ MOS décrit, de grandeur inférieure au micron, est fabriqué sur une couche ultrafine (16) avec un canal généralement intrinsèque (14) ayant une concentration de dopant inférieure à environ 1016cm-3. L'épaisseur du canal (14) est de préférence inférieure ou égale à environ 0,2 micron. Le rapport entre l'épaisseur et la longueur du canal est inférieur à environ 1/4 et de préférence inférieur ou égal à environ 1/2. Les effets de tension de perçage et les effets produits par la longueur réduite du canal sont évités grâce à l'application d'une tension de gâchette arrière appropriée, qu'on peut également faire varier pour régler le seuil de tension. |
申请公布号 |
EP0401356(A1) |
申请公布日期 |
1990.12.12 |
申请号 |
EP19900901245 |
申请日期 |
1989.11.27 |
申请人 |
HUGHES AIRCRAFT COMPANY |
发明人 |
TERRILL, KYLE, W.;VASUDEV, PRAHALAD, K. |
分类号 |
H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L27/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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