Semiconductor device with a passivation layer.

摘要

Passivierungsschichten aus amorphem Halbleitermaterial wie z. B. aus im Vakuum aufgedampftem Silizium haben sich für Sperrspannungen bis 4 kV bewährt. Diese Passivierungsschichten bewähren sich auch bei Sperrspannungen über 4 kV, wenn das Verhältnis von Sperrstromdichte des Heteroübergangs zur Leitfähigkeit der a-Schicht größer als der maximale Feldgradient an der Oberfläche des Bauelements multipliziert mit Dicke der a-Schicht ist und die um das Oberflächenpotential der a-Schicht reduzierten Barrierenhöhen des Heteroübergangs jeweils kleiner als der halbe Bandabstand im Halbleiterkörper sind.