| 主权项 |
l.一种闸列式互补金属氧化半导体之积体电 路具有一半导体躯干,其一面上备有: 第一列及相邻平行第二列之"N"通道金 属氧化半导体电晶体,该等电晶体所拥有 之共同闸电极以导体轨形式横向延伸过两 列之方向; 第一列及相邻平行第二列"P"通道金属 氧化半导体电晶体,让等电晶体所拥有之 共同闸电极以导体轨形式横向延伸过两列 之方向; 其特点在于除第一和第二两列"N"通道 电晶体及第一和第二两列"P"通道电晶 体之外,(至少)尚配置另一列(定为第 三列)"N"涌道及"P"通道之电晶体 ,其与第一及第二两列平行,且第一及第 二两列"N"通道电晶体之闸电极亦构成 第三列"N"通道电晶体之闸电极,同时 第一及第二两列"P"通道电晶体之闸电 极并构成第三列"P"通道电晶体之闸电 极,且第三列"N"通道电晶体之宽度及 第三列"P"通道电晶体之宽度,至少分 别为第一和第二两列"N"通道电晶体及 第一和第二两列"P"通道电晶体宽度的 三倍。 2.根据申请专利范围第l项之积体电路,其 中第三列"N"通道电晶体之场效电晶体 之宽度及第三列"P"通道电晶体之场效 电晶体之宽度,至少分别约为第一和第二 两列。N"通道电晶推之场效电晶体之宽 度及第一和第二两列"P"通道电晶体之 场效电晶体之宽度的四倍。 3.根据申请专利范围第1或2项之积体电路 ,其中各该第三列"N"通道电晶体及第 三列"P"通道电晶体,分别位于该第一 和第二两列"N"通道电晶体以及第一和 第二两列"P"通道电晶体之间。图示简单说明: 图1为决定功能接线前之闸列之平面 图; 图2,3及4显示分别自图l中各线 (Ⅱ-Ⅱ,Ⅲ-Ⅲ,Ⅳ-Ⅳ)所截取此电 路之剖面图。 图5A示一"异一非或"(EXC NOR) 闸之电路图; 图6显示图1闸列中此间之具体实例 。 |
