| 发明名称 |
SILICON OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME |
| 摘要 |
Pellicule d'oxyde de silicium dans laquelle l'énergie de liaison de crête d'un Si2p d'une liaison de silicium-oxygène dépasse celle d'un Si2p3/2 d'une liaison silicium-silicium de plus de 4,1 eV en spectroscopie à photoélectrons à rayons X. |
| 申请公布号 |
WO9013912(A1) |
申请公布日期 |
1990.11.15 |
| 申请号 |
WO1990JP00582 |
申请日期 |
1990.05.07 |
| 申请人 |
OHMI, TADAHIRO |
发明人 |
OHMI, TADAHIRO;MORITA, MIZUHO |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L29/51 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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