Deep UV etch resistant system.

摘要

Es wird ein gut strukturierbares und insbesonders für den tiefen UV-Bereich geeignetes Photoresistsystem vorgeschlagen, bei dem in den lithographisch erzeugten Photoresiststrukturen durch Behandlung mit einem Reagenz eine erhöhte Ätzresistenz gegenüber einem halogenhaltigen Plasma erzeugt wird. Das Reagenz weist überwiegend aromatische Struktur auf und trägt reaktive Gruppen, die bereits unter Normalbedingungen zur chemischen Reaktion mit weiteren reaktionsfähigen Gruppen des Photoresists geeignet sind.Der Photoresist weist insbesondere Anhydrid- oder Epoxidgruppen auf und eignet sich zur Strukturierung mit tiefem UV-Licht.