发明名称 VAPOR HETERO EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR SILICON CARBIDE
摘要
申请公布号 JPH02263796(A) 申请公布日期 1990.10.26
申请号 JP19890083225 申请日期 1989.03.31
申请人 KANAGAWA PREF GOV 发明人 KARASAWA SHIRO;HIRABAYASHI YASUO;KOBAYASHI MASARU
分类号 C30B25/02;C30B29/36;(IPC1-7):C30B29/36 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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