发明名称 |
VAPOR HETERO EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR SILICON CARBIDE |
摘要 |
|
申请公布号 |
JPH02263796(A) |
申请公布日期 |
1990.10.26 |
申请号 |
JP19890083225 |
申请日期 |
1989.03.31 |
申请人 |
KANAGAWA PREF GOV |
发明人 |
KARASAWA SHIRO;HIRABAYASHI YASUO;KOBAYASHI MASARU |
分类号 |
C30B25/02;C30B29/36;(IPC1-7):C30B29/36 |
主分类号 |
C30B25/02 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|