首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Double-diffused drain CMOS process using a counterdoping technique
摘要
申请公布号 US4956311(A) 申请公布日期 1990.09.11
申请号 US19890371788 申请日期 1989.06.27
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 LIOU, TIAN-I;TENG, CHIH-SIEH
分类号 H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com