| 主权项 |
1.一种以含二氟化硼正离子电浆掺杂方式形成超 浅接面的方法,适用于一半导体基底上,该方法包 括下列步骤: 将该半导体基底置于一含BF2+电浆之中,该含BF2+电 浆系由一无线射频电力(RF Power)所产生; 在该半导体基底上施加一负电压,以使该含BF2+电 浆中的BF2+撞击至该半导体基底上,而在该半导体 基底的表层形成一超浅接面; 进行一快速回火步骤,以修补该超浅接面中之该半 导体基底的晶格结构。2.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中该超浅接面系为一超浅源极/汲极 接面。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该 无线射频电力系为一无线射频脉冲序列之型式,且 该负电压系为一负电压脉冲序列之型式,该无线射 频脉冲序列与该负电压脉冲序列之周期相同,且其 中之一无线射频脉冲系与一负电压脉冲同时施加 、同时结束。4.如申请专利范围第3项所述之方法, 其中该无线射频脉冲序列与该负电压脉冲序列之 周期皆为100ms。5.如申请专利范围第3项所述之方 法,其中该负电压脉冲之强度介于-60V至-10kV之间。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含BF2+ 电浆中之BF2+的能量介于200eV至10keV之间。7.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该超浅接面中之BF 2+的植入剂量介于1015/cm3至1017/cm3之间。8.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该超浅接面中之BF 2+的植入深度小于100。9.如申请专利范围第1项 所述之方法,其中该快速回火步骤系为一瞬间回火 步骤,该瞬间回火步骤之控温方式包括: 在一升温步骤中将温度升到一最高点;以及 当温度到达该最高点后,立刻进行一降温步骤。10. 如申请专利范围第9项所述之方法,其中该最高点 之温度介于1000℃至1200℃之间。11.如申请专利范 围第9项所述之方法,其中该升温步骤中的升温速 率为300℃/sec。12.如申请专利范围第9项所述之方 法,其中该降温步骤中的降温速率为900℃/sec。13. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含BF2+电 浆之型态为感应耦合电浆(ICP)。14.如申请专利范 围第1项所述之方法,其中该含BF2+电浆中的反应气 体包含BF3与一载气。15.如申请专利范围第14项所 述之方法,其中该载气系为氩气。图式简单说明: 第一图所绘示为本发明较佳实施例中超浅源极/汲 极接面所存在之金氧半导体元件;以及 第二图A所绘示为本发明之较佳实施例中,以含BF2+ 电浆掺杂方式形成超浅源极/汲极接面的装置与方 法,且第二图B所绘示为此方法中的负电压脉冲序 列。 |
