发明名称 INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION, INCLUDING LOW TEMPERATURE METHOD FOR MAKING SILICIDE STRUCTURES
摘要
申请公布号 EP0366343(A3) 申请公布日期 1990.08.29
申请号 EP19890310697 申请日期 1989.10.18
申请人 AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY 发明人 CHEN, MIN-LIANG;LEUNG, CHUNG WAI;MARTIN, EDWARD P., JR.
分类号 H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/310 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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