| 主权项 |
1.一种碳化矽膜的蚀刻方法,包含有: 在半导体基板上形成碳化矽膜;及 以包含有卤素化合物及含氮气体之蚀刻气体蚀刻 该碳化矽膜。2.根据申请专利范围第1项之碳化矽 膜的蚀刻方法,其中该卤素化合物包含氟化合物。 3.根据申请专利范围第2项之碳化矽膜的蚀刻方法, 其中该氟化合物包含碳氟化合物。4.根据申请专 利范围第3项之碳化矽膜的蚀刻方法,其中该碳氟 化合物包含至少一个选自CF4.CHF3.CH2F2.CH3F、及C4F8 组成的族群之碳氟化合物。5.根据申请专利范围 第4项之碳化矽膜的蚀刻方法,其中该蚀刻气体进 一步包含氧气。6.根据申请专利范围第5项之碳化 矽膜的蚀刻方法,其中该含氮气体包含至少一个选 自氮气、氨气、及氧化亚氮组成的族群之含氮气 体。7.根据申请专利范围第6项之碳化矽膜的蚀刻 方法,进一步包含: 藉由测量在波长387nm的发光强度而侦测蚀刻该碳 化矽膜的终点。8.根据申请专利范围第2项之碳化 矽膜的蚀刻方法,其中该氟化合物包含至少一个选 自三氟化氮气体及六氟化硫组成的族群之氟化合 物。9.根据申请专利范围第8项之碳化矽膜的蚀刻 方法,其中该含氮气体包含至少一个选自氮气、氨 气、及氧化亚氮组成的族群之含氮气体。10.根据 申请专利范围第1项之碳化矽膜的蚀刻方法,其中 该含氮气体包含至少一个选自氮气、氨气、及氧 化亚氮组成的族群之含氮气体。11.一种半导体装 置的制造方法,包含有: 于半导体基板上形成一配线; 在该配线上形成碳化矽膜; 在该碳化矽膜上形成层间绝缘膜; 藉由第一蚀刻气体蚀刻该层间绝缘膜以形成一介 层洞; 藉由包含有卤素化合物及含氮气体之第二蚀刻气 体蚀刻露出于该介层洞中的该碳化矽膜。12.根据 申请专利范围第11项之半导体装置的制造方法,其 中该第一蚀刻气体包含该卤素化合物。13.根据申 请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,进一 步包含有: 形成一配线凹槽连接至该介层洞;及 以导电材料填满该介层洞及该配线凹槽。14.根据 申请专利范围第13项之半导体装置的制造方法,其 中该导电材料包含阻障层及配线材料。15.根据申 请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其中 该层间绝缘膜包含氧化矽膜。16.根据申请专利范 围第14项之半导体装置的制造方法,其中该层间绝 缘膜包含倍半氧矽烷类(silisesquioxane)绝缘膜。17. 根据申请专利范围第14项之半导体装置的制造方 法,其中该层间绝缘膜包含包括有Si-H键结、Si-CH3 键结及Si-F键结其中至少一个键结的矽土膜。18.根 据申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法, 其中该配线材料包含铜。19.根据申请专利范围第 12项之半导体装置的制造方法,其中该卤素化合物 包含氟化合物。20.根据申请专利范围第19项之半 导体装置的制造方法,其中该氟化合物包含碳氟化 合物。21.根据申请专利范围第20项之半导体装置 的制造方法,其中该碳氟化合物包含至少一个选自 CF4.CHF3.CH2F2.CH3F、及C4F8组成的族群之碳氟化合物 。22.根据申请专利范围第11项之半导体装置的制 造方法,其中该第二蚀刻气体包含氧气。23.根据申 请专利范围第22项之半导体装置的制造方法,其中 该含氮气体包含至少一个选自氮气、氨气、及氧 化亚氮组成的族群之含氮气体。24.根据申请专利 范围第19项之半导体装置的制造方法,其中该氟化 合物包含至少一个选自三氟化氮气体及六氟化硫 组成的族群之氟化合物。25.根据申请专利范围第 24项之半导体装置的制造方法,其中该含氮气体包 含至少一个选自氮气、氨气、及氧化亚氮组成的 族群之含氮气体。26.一种半导体装置的制造方法, 包含有: 于半导体基板上形成一配线; 在该配线上形成第一碳化矽膜; 在该第一碳化矽膜上形成第一层间绝缘膜; 在该第一层间绝缘膜上形成第二碳化矽膜; 在该第二碳化矽膜上形成第二层间绝缘膜; 藉由第一蚀刻气体蚀刻该第二层间绝缘膜及该第 二碳化矽膜,而后蚀刻该第一层间绝缘膜以形成一 介层洞; 藉由利用该第一碳化矽及该第二碳化矽作为蚀刻 停止层,蚀刻该第二层间绝缘膜以形成配线凹槽; 藉由包含有卤素化合物及含氮气体之第二蚀刻气 体蚀刻露出于该介层洞中的该第一碳化矽膜。27. 根据申请专利范围第26项之半导体装置的制造方 法,其中该第一蚀刻气体包含该卤素化合物。28.根 据申请专利范围第27项之半导体装置的制造方法, 其中该卤素化合物包含氟化合物。29.根据申请专 利范围第28项之半导体装置的制造方法,其中该氟 化合物包含碳氟化合物。30.根据申请专利范围第 29项之半导体装置的制造方法,其中该碳氟化合物 包含至少一个选自CF4.CHF3.CH2F2.CH3F、及C4F8组成的 族群之碳氟化合物。31.根据申请专利范围第26项 之半导体装置的制造方法,其中该第二蚀刻气体包 含氧气。32.根据申请专利范围第31项之半导体装 置的制造方法,其中该含氮气体包含至少一个选自 氮气、氨气、及氧化亚氮组成的族群之含氮气体 。33.根据申请专利范围第28项之半导体装置的制 造方法,其中该氟化合物包含至少一个选自三氟化 氮气体及六氟化硫组成的族群之氟化合物。34.根 据申请专利范围第33项之半导体装置的制造方法, 其中该含氮气体包含至少一个选自氮气、氨气、 及氧化亚氮组成的族群之含氮气体。图式简单说 明: 图1A至1C说明相关技艺配线结构的制造过程横剖面 图; 图2A至2C说明根据本发明第一个较佳实施例配线结 构的制造过程横剖面图; 图3代表根据本发明第一个较佳实施例加入氮对于 SiC膜蚀刻影响的曲线图; 图4A至4G说明根据本发明第二个较佳实施例配线结 构的制造过程横剖面图。 |
