发明名称 |
POWER CIRCUIT WITH AN INTEGRATED CMOS OR BIPOLAR CIRCUIT AND PROCESS FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT |
摘要 |
Un circuit de puissance comprend un circuit bipolaire ou CMOS intégré agencé sur un ilôt semi-conducteur isolé par une couche d'isolation noyée. Afin d'obtenir une rigidité diélectrique améliorée avec une diaphonie réduite, la couche d'isolation noyée est agencée dans une zone semi-conductrice dont le dopage est opposé à celui du matériau semi-conducteur adjacent à ladite zone semi-conductrice. |
申请公布号 |
WO9009679(A1) |
申请公布日期 |
1990.08.23 |
申请号 |
WO1989EP01505 |
申请日期 |
1989.12.08 |
申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWAND |
发明人 |
VOGT, HOLGER |
分类号 |
H01L21/762;H01L27/06;H01L27/088 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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