发明名称 POWER CIRCUIT WITH AN INTEGRATED CMOS OR BIPOLAR CIRCUIT AND PROCESS FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT
摘要 Un circuit de puissance comprend un circuit bipolaire ou CMOS intégré agencé sur un ilôt semi-conducteur isolé par une couche d'isolation noyée. Afin d'obtenir une rigidité diélectrique améliorée avec une diaphonie réduite, la couche d'isolation noyée est agencée dans une zone semi-conductrice dont le dopage est opposé à celui du matériau semi-conducteur adjacent à ladite zone semi-conductrice.
申请公布号 WO9009679(A1) 申请公布日期 1990.08.23
申请号 WO1989EP01505 申请日期 1989.12.08
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWAND 发明人 VOGT, HOLGER
分类号 H01L21/762;H01L27/06;H01L27/088 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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