| 摘要 |
<P>Dans un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, consistant à produire une électrode porte 3, 3a en métal réfractaire sur une région préétablie de la surface d'un substrat semi-isolant 1 et à produire ensuite une pellicule isolante sur toute la surface du dispositif, puis à mettre à nu l'électrode porte 3, 3a en décapant cette pellicule de façon à obtenir une pellicule isolante 5c, la pellicule isolante initiale et la pellicule 5c sont réalisées respectivement par déposition et décapage selon la technique CVD au plasma à absorption d'énergie par des électrons dans un champ électrique alternatif de fréquence égale à celle de résonance de cyclotron, ou " electron cyclotron resonance " ECR, en soumettant le substrat à une polarisation à haute fréquence.</P>
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