发明名称 |
等离子体处理方法和老化结束检测方法以及等离子体处理装置 |
摘要 |
在现有的分析数据中,作为老化结束的判断基准的变化因老化而发生变化,即难于辨别是基于处理容器内的状态变化而变化,还是基于各个伪晶片间的温度变化而变化,进而难于判断老化是否结束。因此,本发明的等离子体处理方法,向等离子体处理装置(1)的处理容器(2)内提供伪晶片W,检测进行老化时的老化结束。其具有:向处理容器(2)内供给伪晶片W,在冷却处理容器(2)内之后,使用在向处理容器(2)内再次供给多个伪晶片W时得到的多个测量数据,来进行多变量分析,形成预测老化结束的预测式的步骤;基于该预测式,检测进行老化时的老化结束的步骤。 |
申请公布号 |
CN100355040C |
申请公布日期 |
2007.12.12 |
申请号 |
CN03805861.8 |
申请日期 |
2003.03.12 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
高山直树;王斌;原田智 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
1.一种等离子体处理方法,对处理装置的处理容器内提供试验用被处理体,检测进行老化时的所述老化的结束,其特征在于,包括:形成预测式的步骤,使用在对所述处理容器内提供多个所述试验用被处理体时得到的多个测量数据,进行多变量分析,形成预测所述老化结束的预测式;基于所述预测式,检测进行所述老化时的老化结束的步骤。 |
地址 |
日本东京都 |