发明名称 Fast power semiconductor circuit.
摘要 Bei einer schnellen Leistungshalbleiter-Schaltung mit einem über ein Gate abschaltbaren Bauelement in Form eines grossflächigen Halbleitersubstrats (9) und einer Ansteuerschaltung, die an Gate und Kathode des Bauelements angeschlossen ist, und einen zum Abschalten des Bauelements geeigneten Stromimpuls erzeugt, wird eine niederinduktive Verbindung zwischen Bauelement und Ansteuerschaltung durch einen Bandleiter (28) in Form einer metall-kaschierten Kunststoff-Folie realisiert. Die obere Metallisierung (1) des Bandleiters (28) dient dabei im wesentlichen als Zuleitung zur Kathode des Bauelements, die untere Metallisierung (3) als Zuleitung zum Gate.
申请公布号 EP0381849(A1) 申请公布日期 1990.08.16
申请号 EP19890123631 申请日期 1989.12.21
申请人 ASEA BROWN BOVERI AG 发明人 KLOUCEK, FRANZ, DR.
分类号 H01L27/06;H01L21/822;H01L23/498;H01L23/64;H03K17/04 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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