| 摘要 |
<P>L'invention concerne un échantillonneur-bloqueur hyperfréquence 1 GHz comportant un transistor à effet de champ, sur lequel est appliqué un signal d'entrée, et une capacité mémoire.</P><P>Le transistor 6 est en matériaux du groupe III-V, tels que GaAs ou InP, et sa région de canal est commandée par une commande optique composée d'une fibre optique 8 et d'un laser semi-conducteur 9 pulsé. En vue de diminuer le temps de basculement du transistor 6, celui-ci et le laser 9 sont tous deux polarisés en des points proches de leurs seuils.</P><P>Application en traitement de signal, à des fréquences de l'ordre de 1 GHz.</P>
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