发明名称 PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL
摘要 Procédé de production d'un monocristal par solidification d'une substance en fusion, consistant à utiliser un creuset à triple structure constitué d'un cylindre externe composé d'un métal ou d'un alliage à point de fusion élevé égal ou supérieur à 1500°C, d'un cylindre interne composé d'un ou de plusieurs matériaux céramiques à point de fusion élevé et d'un matériau carboné tel que du graphite, du graphite pyrolytique ou du carbone vitreux, et d'un cylindre intermédiaire composé de verre quartzeux. Le procédé consiste en outre à placer le cylindre interne contenant le matériau de départ dans le cylindre intermédiaire pour égaliser un scellement étanche, à introduire le cylindre intermédiaire dans le cylindre externe, à souder le cylindre externe pour effectuer le scellement et à chauffer le creuset pour fondre le matériau de départ et provoquer la croissance du cristal.
申请公布号 WO9007021(A1) 申请公布日期 1990.06.28
申请号 WO1989JP01248 申请日期 1989.12.13
申请人 MITSUI MINING CO., LTD. 发明人 OMINO, AKIRA
分类号 C30B11/00;C30B35/00;H01L21/208 主分类号 C30B11/00
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利