发明名称 PROCEDE DE GRAVURE D'UNE COUCHE D'OXYDE METALLIQUE ET DEPOT SIMULTANE D'UN FILM DE POLYMERE, APPLICATION DE CE PROCEDE A LA FABRICATION D'UN TRANSISTOR
摘要 <P>Le procédé selon l'invention consiste à soumettre une couche d'oxyde métallique 106, 108, disposée sur un substrat en verre 100, à l'action d'un plasma gazeux 109 contenant 10 à 88 % en volume d'hydrogène, 2 à 30 % en volume d'un hydrocarbure et 10 à 50 % d'un gaz vecteur inerte, entraînant la formation d'une couche de polymère 110 sur les parties du substrat non pourvues d'oxyde, par dissociation du mélange gazeux, et la gravure chimique partielle de l'oxyde 106, 108 par formation d'organométalliques.</P>
申请公布号 FR2640809(A1) 申请公布日期 1990.06.22
申请号 FR19880016737 申请日期 1988.12.19
申请人 CHOUAN YANNICK;FAVENNEC JEAN LUC 发明人
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/312;H01L21/3213;H01L21/336;H01L29/45;H01L29/78;H01L29/786;H01L31/18 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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