Method for producing self-aligned contacts between vertically separated wiring layers on an integrated circuit.

摘要

Zur selbstjustierten Herstellung von Kontakten (sog. Vias) zwischen Leiterbahnen, die in übereinander angeordneten Verdrahtungsebenen einer integrierten Schaltung enthalten sind, in Pillartechnik (d. h. die Füllung der Kontakte wird vor dem Abscheiden des Intermetalldielektrikums erzeugt), wird ein Schichtaufbau erzeugt, der mindestens eine Metallschicht (4) für die untere Verdrahtungsebene und mindestens eine leitende Schicht (5, 6) für die Kontakte enthält. Die Längsausdehnung des Kontaktes wird durch eine die gewünschte Breite der unteren Leiterbahn sicher überlappende Maske (81) definiert. Die Querausdehnung des Kontaktes wird durch die zur Erzeugung der unteren Leiterbahn notwendige Maske definiert. Durch schrittweises Ätzen werden die Kontakte und die untere Leiterbahn erzeugt.