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发明名称 Method for manufacturing a semiconductor device having more than two conductive layers
摘要
申请公布号 US4935378(A) 申请公布日期 1990.06.19
申请号 US19880170253 申请日期 1988.03.18
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 MORI, SEIICHI
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/768;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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