Light-emitting element made of a compound semi-conductor.

摘要

Ein lichtemittierendes Verbindungshalbleiter-Bauelement mit Mehrfach-Quantentopfstruktur, wie eine Laserdiode oder eine lichtemittierende Diode besitzt aktiven Bereich (13) mit einer abwechselnden Folge von Schichten aus Topfschichtmaterial (17, 19) und aus Sperrschichtmaterial (18). Die Dicke der Sperrschicht (18) und der benachbarten Topfschichten (17, 19) wird so ausgewählt, daß für eine Ladungsträgerart eine relativ hohe Aufenthaltswahrscheinlichkeit in dem Sperrschichtbereich besteht, während die andere Ladungsträgerart in den Potentialtöpfen lokalisiert ist. Auf diese Weise ist es möglich, die Wahrscheinlichkeit des Auftretens strahlungsloser Auger-Rekombinationsvorgänge zu verringern und so den Schwellstrom zu reduzieren und die Quantenausbeute des Bauelementes zu erhöhen. Dies ist besonders deshalb wichtig, weil Materialsysteme mit kleiner Bandlücke, die bei für Übertragung in optischen Fasern geeigneten großen Wellenlängen lasern, normalerweise schädliche Verhaltenseinflüsse infolge von strahlungslosen Auger-Rekombinationen erleiden, und diese Nachteile können durch die Bemessung der Schichtdicke mit Hinblick auf die beschriebenen Wahrscheinlichkeitsverteilungen wesentlich herabgesetzt werden.