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发明名称 DEFECT FREE EPITAXIALLY GROWN SILICON AND METHOD OF PRUDUCING SAME
摘要
申请公布号 EP0313493(A3) 申请公布日期 1990.06.13
申请号 EP19880480025 申请日期 1988.09.13
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BEYER, KLAUS DIETRICH;LU-CHEN HSU, LOUIS;SCHEPIS, DOMINIC JOSEPH;SILVESTRI, VICTOR JOSEPH
分类号 H01L21/205;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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