METHODE FABRICATION D'UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE A SEMI-CONDUCTEUR METALLIQUE (GAAS) A EFFET DE CHAMP POURVU D'UNE GRILLE EN TUNGSTENE DU TYPE T

摘要

Selon l'invention, on réalise une méthode de fabrication d'un transistor auto-aligné à semi-conducteur métallique (GaAs) à effet de champ MESFET, dans lequel la pellicule fine de Si formée par la technique PECVD (dépôt de vapeur chimique améliorée par plasma) et la pellicule de Si3 N4 formée par la technique PCVD (dépôt de vapeur par voie photo-chimique) sur le substrat GaAs sont utilisées comme pellicule de recouvrement dans la technique d'activation. Le MESFET auto-aligné pourvu d'une grille du type T est alors fabriqué par dépôt sélectif de vapeur chimique de tungstène sur la fine pellicule de Si. Il en résulte que l'intervalle entre l'électrode de grille et la couche n+ peut se régler de lui-même.