| 发明名称 |
HIGH-OXYGEN CONTENT SILICON MONOCRYSTALS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU597599(B2) |
申请公布日期 |
1990.06.07 |
| 申请号 |
AU19860064550 |
申请日期 |
1986.10.30 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
TOSHIHIKO SUZUKI;YASABURO KATO;MOTONOBU FUTAGAMI |
| 分类号 |
C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20;C30B15/30;H01L21/18;H01L21/208;H01L21/322;(IPC1-7):C30B15/00;C30B15/12;C30B15/16;C30B15/32;C30B35/00 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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