Photodiode-FET combination with an enhanced layer structure.

摘要

Monolithisch integrierte Fotodiode-FET-Kombination auf InP-Substrat (1) in das der p<+>-Bereich (2) der Fotodiode und ein p<+>-Bereich (12) des FET eingebettet sind und auf das eine für FET und Fotodiode gleiche Schichtfolge aus InGaAs (3,6,13,16) aufgewachsen ist, mit einem n-Kontakt (5) auf der Oberseite der Fotodiode und einem p-Kontakt auf einer freiliegenden Kontaktfläche (8) des p<+>-Bereiches (2) der Fotodiode.