发明名称 半导体整流器件动态分析仪和质量分析方法
摘要 本发明公开了一种半导体整流器件质量分析仪器和质量分析方法。仪器由工况建立和微型计算机数据处理两大部分组成。采用本仪器和分析方法,是将半导体整流器件置于实际的整流工况中对其反向动态平均电流进行测试和分析。与常规的静态方法相比,能更可靠地预测器件上机时的质量优劣,提供更合理的质量筛选限,并能为改进产品质量提供技术依据。因此,它是整流器件的生产厂和使用厂分析器件质量的有效工具。
申请公布号 CN1008218B 申请公布日期 1990.05.30
申请号 CN85107867.2 申请日期 1985.10.24
申请人 石家庄市自动化研究所 发明人 赵富;李增锡;葛淑欣;乔子高
分类号 G01R31/26 主分类号 G01R31/26
代理机构 河北省专利事务所 代理人 王苑祥
主权项 1、一种对半导体整流器件进行质量分析的方法。其特征在于该质量分析方法是按以下步骤进行的:a.设置标准工况(包括工作电压幅值和频率、负载)。以环境温度T<sub>a</sub>为背景条件测量被分析元器件<img file="85107867_IMG2.GIF" wi="44" he="64" />值并绘制其随时间t变化的曲线。b.变化环境温度T<sub>a</sub>值,最终要绘出第一次出现上翘的<img file="85107867_IMG3.GIF" wi="44" he="64" />曲线,从而确定被测元件的最高允许使用环境温度。c.根据已测出的<img file="85107867_IMG4.GIF" wi="44" he="64" />值及对应的T<sub>a</sub>值从而测绘出<img file="85107867_IMG5.GIF" wi="44" he="64" />与T<sub>a</sub>及<img file="85107867_IMG6.GIF" wi="44" he="64" />与结温T<sub>j</sub>之间的关系曲线,通过对曲线的测量比较确定出被分析元件最高允许结温。d.进一步绘制动态结温T<sub>j</sub>与环境温度T<sub>a</sub>的关系曲线(c)及参考曲线(T<sub>B</sub>=T<sub>j</sub>),通过对曲线相对几何位置的测绘确认其封装工艺的优劣。
地址 河北省石家庄市长安东路12号