发明名称 | 用离子束反应溅射方法成膜的装置 | ||
摘要 | 用离子束反应溅射方法成膜的装置,主要用于制作多成分膜和多成分多层膜。本发明在装置的靶室中设有2~4个溅射离子源,采用聚焦离子源,以基片为中心分布于基片周围。每个离子源前方相应有一组装有4块不同材料的靶片的转动靶。对着基片设有一个用于辐照基片的无灯丝阳极辐照离子源,如用高频离子源。2~4个溅射离子源与每组有4种材料的靶配合,能作出每个周期厚度内有4层,每层成分完全不重复的结构可调多层膜。辐照离子源能长期工作于反应气体中。 | ||
申请公布号 | CN1042572A | 申请公布日期 | 1990.05.30 |
申请号 | CN88109745.4 | 申请日期 | 1988.11.09 |
申请人 | 四川大学 | 发明人 | 郭华聪;肖定全;谢必正;邵启文;朱居木;肖志力 |
分类号 | C23C14/34;C23C14/46 | 主分类号 | C23C14/34 |
代理机构 | 四川大学专利事务所 | 代理人 | 刘金蓉 |
主权项 | 1、用离子束反应溅射方法成膜的装置,包含有靶室[1],与靶室相连接的真空系统[2]、供气系统[4]、[5]和冷阱[3],靶室中装有转动工作台[8],工作台与基片[10]之间有加温板[9],基片前方设有档板[11],其特征是在靶室内设有2~4个溅射离子源[12],以基片为中心分布于基片周围,每个溅射离子源沿束流射出的前方相应有一组转动靶[13];对着基片设有一个无灯丝阳极的辐射离子源[6]。 | ||
地址 | 四川省成都市九眼桥 |