| 发明名称 |
Piezoelectric crystal element based in GaPO4. |
| 摘要 |
<p>Zur Verbesserung der Temperaturbeständigkeit piezoelektrischer und elastischer Eigenschaften von piezoelektrischen Kristallelementen auf der Basis von GaPO4, vorzugsweise für Resonatoranwendungen, sowie zur Erleichterung der Justierung beim Schneiden der Kristallelemente aus den Rohkristallbarren, wird vorgeschlagen, daß die Hauptebene (H) des Kristallelementes (6) parallel zu einer Schnittebene (E) verläuft, welche aus einer zur optischen Achse (c) parallel liegenden hexagonalen Prismenfläche (3) eines Rohkristallbarrens (1) durch Drehung um eine der zweizähligen kristallographischen Symmetrieachsen (a1, a2, oder a3) um einen Winkel ϑ zwischen -5° und -22° hervorgeht.</p> |
| 申请公布号 |
EP0370996(A2) |
申请公布日期 |
1990.05.30 |
| 申请号 |
EP19890890267 |
申请日期 |
1989.10.10 |
| 申请人 |
AVL GESELLSCHAFT FUR VERBRENNUNGSKRAFTMASCHINEN UND MESSTECHNIK MBH.PROF.DR.DR.H.C. HANS LIST |
发明人 |
ENGEL, GUNTER, DIPL.-ING.DR.;KREMPL, PETER W., DR.;STADLER, JOSEF MICHAEL, DIPL.-ING. |
| 分类号 |
H01L41/18;H01L41/08;H03H9/17 |
主分类号 |
H01L41/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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