| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION TEL QUE MEMOIRE EPROM ET PROCEDE D'OBTENTION CORRESPONDANT |
| 摘要 |
<P>Dispositif et procédé de réalisation d'un circuit intégré.</P><P>Le circuit comprend des grilles flottantes 14 et des grilles de commande 13 recouvertes d'une couche d'oxyde plane 32 sur laquelle on a installé des lignes de connexions électriques 11. Les grilles de commande en particulier comportent des parties en retrait 17 se faisant face et entre lesquelles on loge les contacts aux sources et aux drains 31. Une haute densité d'intégration peut ainsi être obtenue.</P><P>Ce circuit intégré peut notamment être une mémoire EPROM.</P> |
| 申请公布号 |
FR2638285(A1) |
申请公布日期 |
1990.04.27 |
| 申请号 |
FR19880013934 |
申请日期 |
1988.10.25 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
JOEL HARTMANN |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L23/485;H01L23/528;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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