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发明名称 METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SHALLOW HIGHLY DOPED REGIONS
摘要
申请公布号 EP0361078(A3) 申请公布日期 1990.04.25
申请号 EP19890115513 申请日期 1989.08.23
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 NISHIDA, KENJI
分类号 H01L29/78;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/225 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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