发明名称 METHOD FOR GROWING HIGH-DISSOCIATION PRESSURE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS THEREFOR
摘要
申请公布号 JPH0255290(A) 申请公布日期 1990.02.23
申请号 JP19880205863 申请日期 1988.08.19
申请人 MITSUBISHI METAL CORP 发明人 SHIRATA TAKAHARU;SASA KOICHI;TOMIZAWA KENJI
分类号 C30B15/28;H01L21/208 主分类号 C30B15/28
代理机构 代理人
主权项
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