Integrated semiconductor device with a photoelement and an npn-bipolar transistor in a silicon substrate.

摘要

Ein npn-Bipolartransistor und ein Fotoelement sind in einem p-dotierten Gebiet (2) angeordnet, das in einem Siliziumsubstrat (1) enthalten ist. Im Bereich des Fotoelementes enthält das p-dotierte Gebiet (2) ein n-dotiertes Gebiet (19). Sowohl das p-dotierte Gebiet (2) als auch das n-dotierte Gebiet (19) sind im Bereich des Fotoelements mit Anschlußbereichen (10, 18) versehen. Das p-dotierte Gebiet (2) wird auf dem Substrat (1) als Schicht erzeugt. Kollektor (11), Emitter (13) und Kollektoranschluß (24) werden durch Implantation mit n-dotierenden Ionen im p-dotierten Gebiet (2) hergestellt. Die monolithische Integration schneller und empfindlicher Fotodioden in das bestehende Silizium-Bipolarkonzept ermöglicht, optische Signale mit hoher Datenrate direkt auf einem Chip einzukoppeln.