发明名称 Metal contact with overhanging edges and process of fabrication.
摘要 Metallkontakt mit überhängenden Kanten auf einer Halbleiterschichtstruktur, wobei dieser Metallkontakt mindestens eine spezielle Metallschicht (3), die einheitlich zusammengesetzt ist und sich in Richtung auf die Oberfläche der Halbleiterschichtstruktur (9) auf dem Substrat (10) hin stetig verjüngt, vorgesehen ist. Dieser Metallkontakt wird hergestellt, indem bei dem Ätzschritt für die Herstellung der speziellen Metallschicht (3) mittels Ätzmaske (8) und Anwendung von RIE ein Verhältnis von Anodendurchmesser zu Kathodendurchmesser von mindestens 4:3 eingestellt wird und der Elektrodenabstand mindestens 4 cm beträgt.
申请公布号 EP0353719(A2) 申请公布日期 1990.02.07
申请号 EP19890114213 申请日期 1989.08.01
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 PAUSCH, THOMAS, DIPL.-PHYS.;WILLER, JOSEF, DR.
分类号 H01L21/302;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/3213;H01L21/338;H01L29/812 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
地址