| 发明名称 |
SEMI-INSULATING GAAS SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0238400(A) |
申请公布日期 |
1990.02.07 |
| 申请号 |
JP19880186885 |
申请日期 |
1988.07.28 |
| 申请人 |
SUMITOMO METAL MINING CO LTD |
发明人 |
SATO NAOFUMI;TSUNODA YOSHIISA |
| 分类号 |
C30B27/02;C30B29/42;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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