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发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING A CIRCUIT FOR COMPENSATING FOR DISCRIMINATING VOLTAGE VARIATIONS OF A MEMORY CELL
摘要
申请公布号 EP0223621(A3) 申请公布日期 1990.01.31
申请号 EP19860401901 申请日期 1986.08.29
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 NAKANO, MASAO;TAKEMAE, YOSHIHIRO;NAKANO, TOMIO;NOZAKI, SHIGEKI;SATO, KIMIAKI;KODAMA, NOBUMI
分类号 G11C11/407;G11C11/409;G11C11/4094;G11C11/4099;(IPC1-7):G11C11/24;G11C7/00;G11C7/06 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
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