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<P>La présente invention concerne une structure de circuit intégré dans laquelle chaque composant élémentaire 1, 2, 3, 4 est formé à l'intérieur d'un caisson 10, 20, 30, 40 d'un premier type de conductivité formé sur la surface supérieure d'un substrat d'un deuxième type de conductivité et séparé des caissons adjacents par un mur d'isolement. Ledit substrat consiste en une plaquette semi-conductrice du deuxième type de conductivité à haut niveau de dopage 50 dont la face supérieure comprend une couche du deuxième type de conductivité 51 à plus faible niveau de dopage, les murs d'isolement traversant ladite couche du deuxième type de conductivité pour rejoindre le substrat.</P>
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