| 摘要 |
<P>L'invention concerne le procédé de fabrication d'une cellule mémoire intégrée de type EPROM ou EEPROM sur un substrat semi-conducteur. La cellule comporte des points mémoires isolés électriquement les uns des autres, chaque point mémoire comprenant une source 4, un drain 6, une grille flottante 350, une grille de commande 38, un canal 5 situé sous la grille flottante 350, la source 4 et le drain 6 étant situés de part et d'autre de la grille flottante 350; les grilles flottantes de chaque point mémoire étant distantes et isolées latéralement suivant une première direction X d'une ou de deux autres grilles flottantes, la fabrication de la cellule comportant une étape de réalisation des isolations latérales 320 des grilles flottantes suivant la première direction X, puis une étape de réalisation des grilles flottantes 350 proprement dites, ce qui permet d'obtenir des isolations entre grilles flottantes submicroniques.</P><P>Application à la réalisation de cellules mémoires intégrées.</P>
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