| 发明名称 |
CURRENT-REGULATED, VOLTAGE-REGULATED ERASE CIRCUIT FOR EEPROM-MEMORY CELLS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2220811(A) |
申请公布日期 |
1990.01.17 |
| 申请号 |
GB19890014531 |
申请日期 |
1989.06.23 |
| 申请人 |
* SEEQ TECHNOLOGY INC |
发明人 |
TING-WAH * WONG;RAUL-ADRIAN * CERNEA |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C16/02;G11C16/14;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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