POLYSILICON THIN FILM PROCESS AND PRODUCT.

摘要

Une pellicule (63) de silicone polycristallin est déposée sur la surface d'un substrat (60) soigneusement préparé de façon à éliminer tous défauts ou contaminants qui pourraient former des germes cristallins sur le substrat. On effectue le dépôt par décomposition à basse pression de silane, à 580°C, afin de provoquer la formation d'une pellicule (63) de polysilicone à grains très fins, d'une grandeur moyenne inférieure à 300 Angstroms environ après recuit. Cette pellicule (63) est très uniforme et lisse, ayant une aspérité superficielle inférieure à 100 Angstroms RMS. Le recuit à basses températures de la pellicule (63) et du substrat (60) entraîne une contrainte par compression dans un domaine qui décroît pendant la durée du recuit, le recuit à des températures élevées (par exemple, supérieures à 1050°C) exerce une contrainte essentiellement nulle sur la pellicule, et le recuit à des températures moyennes (par exemple, entre 650°C et 950°C) permet d'obtenir des contraintes par tension dont l'intensité varie en fonction de la température et de la durée du recuit.