发明名称 低温度系统的永磁体
摘要 本发明涉及永磁材料领域,是一类温度系数低、磁性能高、成本低、原料丰富的新型永磁体,其成份范围(at%)为:R5~20%,R′0.1~10%,Co5~35%,B1~15%,Cu0.01~10%M<10%,其余为Fe和不可避免的杂质。该永磁体居里温度。高于500℃,最大磁能积大于25MGOe,温度系数低于-0.02%/C,可取代SmCo、AlNiCo永磁体,并在NdFeB永磁体由于温度特性差而不能应用的高温度稳定性、高性能领域得以应用。
申请公布号 CN1038542A 申请公布日期 1990.01.03
申请号 CN88103566.1 申请日期 1988.06.18
申请人 郭灿杰 发明人 郭灿杰
分类号 H01F1/08;C22C38/00 主分类号 H01F1/08
代理机构 冶金专利事务所 代理人 张小娟
主权项 1、一种低温度系数的永磁体,是按所需的成份配料,用电弧炉或感应炉冶炼成合金锭,再将该合金锭粉碎成一定粒度的粉末,将粉末在>15KOe的磁场中定向压制成型,成型体在真空或惰性气氛中烧结,然后以一定的速度冷却,并根据不同成份进行不同热处理,其特征在于:所述的合金成份为(按原子百分比):R5~20%,R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Pm六个轻稀土元素的添加总称(至少含有一种轻稀土),R′0。1~10%,R1为Gd、Dy、Y、Eu、Ho、Tb、Er、Tm、Yb、Lu十个重稀土元素的添加总称(至少含有一种重稀土),Co5~35%,B1~15%,Cu0.01~10%,其余为Fe和不可避免的杂质。
地址 北京市德胜门外黄寺大街21号