发明名称 | 利用片状触媒扩散生长多晶金刚石的方法及其产品 | ||
摘要 | 本发明提供一种超高压下生长多晶金刚石的方法。在压力为70~80干巴。温度为1600℃~2000℃的条件下。根据温度场压力场的分布特点。用片状触媒扩散,使石墨直接一次快速生长成上、下对称的两个生长型多晶金刚石,其组织致密而均匀。晶粒细小而交错生长,唐制抛光后光洁度好,是制作拉丝成品模等的好材料。 | ||
申请公布号 | CN1006058B | 申请公布日期 | 1989.12.13 |
申请号 | CN85100695.7 | 申请日期 | 1985.04.01 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 陈良辰;程月英 |
分类号 | C01B31/06 | 主分类号 | C01B31/06 |
代理机构 | 中国科学院物理研究所专利办公室 | 代理人 | 高存秀 |
主权项 | 1.一种用石墨作原料在超高压容器中,在超高压和高温条件下及触煤合金存在下生长多晶金刚石的方法,其中所说的高温为1600℃-2000℃,所说的超高压是用六压砧双级增压技术形成的,其中压力为77-80千巴,在超高压容器中放有管状石墨加热炉〔1〕、陶瓷绝缘管〔2〕和金属箔〔3〕,其特征在于,所说的触媒合金呈片状,而且使多晶金刚石在垂直于触媒面的压力轴上温度、压力的梯度(场)方向相反的条件下生长。 | ||
地址 | 北京市603信箱 |