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Source de plasma (10) à résonance de cyclotron d'électrons (ECR), permettant de produire un plasma (P) destiné à des procédés de gravure, de dépôt, de prédépôt et de modification des propriétés de matériaux. La source de plasma (10) comprend deux sources de champ magnétique (18, 20a, 20i). La première source de champ magnétique (18) crée un champ magnétique d'intensité suffisante pour obtenir une condition ECR pour un faisceau d'entrée (m) de fréquence à micro-ondes. La seconde source de champ magnétique (20a, 20i) augmente l'uniformité du plasma formé et produit, et réduit également le champ magnétique de sorte que le plasma proche du système d'extraction (22) et la sortie extraite soient moins magnétisés. La source de plasma ECR comprend également un appareil à fenêtre (16) isolant électriquement la chambre de procuction de plasma (14) se trouvant à un potentiel élevé de la source de micro-ondes (12) proche du potentiel à la terre. L'appareil à fenêtre est refroidi et sert également d'isolateur de pression entre la chambre de production de plasma se trouvant à une pression de vide, et la source de micro-ondes se trouvant à la pression atmosphérique. |
