| 主权项 |
1﹒含括有电阻器本体之非线性电阻器系由下列组成物所组成之复合物料所生成:Bi2O30﹒25至1﹒0mol%;Sb2O3﹒05至2﹒0mol%;Co2O30﹒25至1﹒0mol%;MnO20﹒25至1﹒0mol%;Cr2O30﹒1至1﹒0mol%;NiO20﹒1至1﹒0mol%;SiO20﹒25至2﹒0mol%;及ZnO100mol%之差额及电阻器本体包括ZnO晶体而其平均粒子大小调整在5m至10m之范围内,2﹒如申请专利范围第1项之非线性电阻器其中ZnO晶体之平均粒子大小又较好在7m至9m之范围。3﹒一种非线性电阻器,其中含括电阻器本体,于电阻器本体周围生成之绝缘层,于电阻器本体两轴端上成之电极;电阻器本体系如下组成之复合物料所生成:Bi2O30﹒25至1﹒0mol%;Sb2O30﹒25至2﹒0mol%;Co2O30﹒25至1﹒0mol%;MnO20﹒25至1﹒0mol%;Cr2O30﹒1至1﹒0mol%;NiO20﹒1至1﹒0mol%;SiO20﹒25至2﹒0mol%;及Zno100mol%之差额及电阻器本体包括ZnO晶体而其平均粒子大小调整至5m至10m之范围内。4﹒如申请专利范围第3项之非线性电阻器,其具有抗压强度约为且高于70kgf/mm^2。5﹒如申请专利范围第3项之非线性电阻器,其具有能量吸收能力比约为或高于1﹒00。6﹒如申请专利范围第3或4项之非线性电阻器,其具有V/V变化比约为或低于1﹒0。7﹒如申请客利范围第4项之非线性电阻器,其具有能量吸收能力比约为或高于1﹒00。8﹒如申请专利范围第3项之非线性电阻器,其中ZnO晶体之平均粒子大小又较好在7m至9m之范围。9﹒如申请专利范围第8项之非线性电阻器,其具有抗压强度约为且高于80kgf/mm^210﹒如申请专利范围第8或9项之非线性电阻器,其具有能量吸收能力比约为或高于1﹒10。11﹒如申请专利范围第8或10项之非线性电阻器,其具有V/V变化比约为或低于0﹒8。12﹒一种生产非线性电阻器之方法,该方法包括下列各步骤:经由将下列各组分混合而制得复合物料Bi2O30﹒25至1﹒0mol%;Sb2O30﹒5至2﹒0mol%;Co2O30﹒25至1﹒0mol%;MnO20﹒25至1﹒0mol%;Cr2O30﹒1至1﹒0mol%;NiO20﹒1至1﹒0mol%;SiO20﹒25至2﹒0mol%;及ZnO100mol%之差额及将复合物料生成为所需构型而生成成型体;以及在经过控制之烧制温度下进行成型体之烧制,该烧制温度径调整而可使得烧制过程期间所生长之ZnO晶体平均粒子大小调整于5m至10m之范围内。13﹒如申请专利范围第12项之方法,又包括在烧制步骤之前于底于烧制温度之温度进行预烧制成型体之步骤。14﹒如申请专利范围第13项之方法,其中之预烷制步骤接着为与成型体周围施用绝缘物料之步骤。15﹒如申请专利范围第12项之方法,其中之烧制过程接着为与成型体周围施用绝缘物料之步骤。16﹒如申请专利范围第15项之方法,其中绝缘物料施用步骤接着为将绝缘物料烧制而在成型电阻器本体周围生成绝缘层以及对该成型电阻器本体进行加热处理之步骤。17﹒一种生产非线性电阻器之方法,该方法包括下列各步骤:经由将下列各组分混合而制得复合物科:Bi2O30﹒25至1﹒0mol%;Sb2O30﹒5至2﹒0mol%;Co2O30﹒25至1﹒0mol%;MnO26﹒25至1﹒0mol%;Cr2O30﹒1至1﹒0mol%;NiO20﹒1至1﹒0mol%;SiO2O﹒25至2﹒0mol%;及ZnO100mol%之差额及将复合物料成型为所需构型而生成成型体;及于经控制之烧制温度下进行成型体之烧制而该烧制温度调整于约为或低于1150℃。18﹒如申请专利范围第17项之方法,其中之烧制温度较好约为或低于1100℃。19﹒如申请专利范围第17项之方法,其中之烧制温度较好约为或高于1020℃。20﹒如申请专利范围第17或18项之方法,其中之烧制温度较好约为或高于1050℃。21﹒如申请专利范围第17项之方法,又包括在烧制步骤之前于低在烧制温度之温度进行预烧制成型体之步骤。22﹒如申请专利范围第21项之方法,其中之预烷制步骤接着为与成型体周围施用绝缘物料之步骤。23﹒如申请专利范围第17项之方法,其中之烧制过程接着为与成型体周围施用绝缘物料之步骤。24﹒如申请专利范围第23项之方法,其中绝缘物料施用步骤又接着为将绝缘物料烧制而在成型电阻器本体周围生成绝缘层以及对该成型电阻器本体进行加热处理之步骤前于低于烧制温度之温度进行预烧制成型体之步骤。26﹒如申请专利范围第25项之方法,其中之预烧制步骤接着为与成型体周围施用绝缘物料之步骤。27﹒如申请专利范围第20项之方法,其中之烧制过程接着为与成型体周围施用绝缘物料之步骤。28﹒如申请专利范围第27项之方法,其中绝缘物料施用步骤又接着为将绝缘物料烧制而在成型电阻器本体周围生成绝缘层以及对该成型电阻器本体进行加热处理之步骤。图示简单说明第1图为根据本发明之非线性电阻器较佳具体例之断面图,该非线性电阻器系由较佳组成物以及较佳物料结构所组成;第2图为显示第1图非线性电阻器概略结构之放大断面图;第3图为第2图所例示说明之非线性电阻器之等致电路图;第4图为显示非线性电阻器之电流/电压特性之图表;第5图(A)及5(B)图为由氧化锌及金属氧化物所组成之非线性电阻器第一具体例之扫描显微相片;第6图为显示非线性电阻器第一与第二具体例中之加热温度与V1ma(DC)/mm间之关系图;第7图为显示非线性电阻器第一与第二具体例中之加热温度与氧化锌平均粒子大小间之关系图;第8图为显示非线性定阻器之第一与第二具体例中之氧化锌晶体粒子大小与非线性电阻器抗压强度间之关系图;第9图为显示非线性电阻器第一与第二具体例中之氧化锌晶体平均粒子大小与能量吸收比间之关系图;及第10图为显示非线性电阻器第一与第二具体例中之氧化锌晶体平均粒子大小与▲V/V之变化比间之关系图。 |
