发明名称 PROTECTIVE CIRCUIT FOR A GATE TURN-OFF THYRISTOR
摘要 To protect a turned-off GTO when the negative gate/cathode voltage fails, a low-resistance parallel path, which is formed from a series circuit of a Schottky diode (SD) and a series resistor (RF), is provided between gate and cathode. <IMAGE>
申请公布号 ZA8902550(B) 申请公布日期 1989.11.29
申请号 ZA19890002550 申请日期 1989.04.07
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 ERIC BAUDELOT
分类号 H03K17/0812 主分类号 H03K17/0812
代理机构 代理人
主权项
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