氢敏半导体器件及其制造方法

摘要

一种应用于氢冷发电机漏氢监测装置中的新型氢敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氢气测量管、加热电阻和控温二极管组成。该器件共四根引线，漏极与栅极共用一根，源极、加热电阻R₂端、控制二极管P极共用一根，其它为单独引出。该器件制造方法的特征在于，它是在磷蒸气保持下进行栅极氧化，用直流高压溅射氧化铝层和钯金属层，并对制好硅片进行高温退火处理。用该方法制得的器件，灵敏度高，氢气测量范围宽，器件稳定可靠。

主权项

1、氢敏半导体器件主要应用于氢冷发电机漏氢监测装置中。现有器件是由集成在一个硅片上的氢气测量管、温度补偿用的参比管、加热电阻和控温二极管组成，该器件共九根电极引线，除测量管和参比管的共用一根电极引线外，其它各电极均为单独引线。本发明的特征在于，它是由集成在一个硅片上的氢气测量管、加热电阻和控温二极管组成，电极引线为四根，漏极与栅极共用一根引线，源极、加热电阻R2极和控温二极管的P极连在一起，共用一根引线，加热电阻R1极及控温二极管N极均为单独引出。