PROCEDE POUR REALISER UNE CONFIGURATION D'INTERCONNEXION SUR UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR NOTAMMENT UN CIRCUIT A DENSITE D'INTEGRATION ELEVEE

摘要

Procédé du type consistant à obtenir un contact avec une zone active 11 portée par un substrat semiconducteur 10 au moyen de plots conducteurs 18a localisés dans les ouvertures de contact 16c d'une couche isolante 12, et à réaliser ensuite une configuration métallique d'interconnexion 22, effectuant la liaison conductrice avec les plots conducteurs 18a.

Une couche de séparation 13 est prévue entre la couche isolante 12 et la couche conductrice 18 qui peut être éliminée sélectivement par rapport à la couche isolante 12. Ainsi, la couche isolante 12 conserve sa planéité d'origine et les plots conducteurs 18a ont un niveau supérieur 20 qui dépasse légèrement le niveau 21 de la couche isolante 12 favorisant ainsi le contact entre ces plots 18a et la configuration métallique d'interconnexion 22.

Application aux micro-circuits à haute densité d'intégration.