| 主权项 |
1﹒一种用于制造下式化合物之方法式中Z及 Z1可为相同或互异,并代表氧或硫,如 Z为氧则Z1为硫,但已及Z1亦可同时 代表硫;Y系代表氮或CH;R代表乙撑 或丙撑,亦可为甲基或乙基所取代之乙撑 或丙撑;R2代表苯基、基、苯氧基、 苯磺醯氧基、苯硫基,或经溴、甲氧基、 或碘取代之苯基,或代表经氯、溴、氮、 三氯甲基、C1─C4烷基、或氟取代之 苯氧其;其法系令下式经取代之唑化合物 (式中Y及R^2之定义均与前述相同) 与下式之第二种化合物相反应者:(II I)HZ─R─Z1H(式中Z、Z1及 R之定义及限制亦与前述相同)2﹒如申 请专利范围第1项之方法,其中系以至少 一摩尔之该第二种化合物(III)与一 摩尔之该唑化合物(II)相反应,且该 反应系于酸触媒存在下进行者。 3﹒如申请专利范围第2项之方法,其中该反 应系于惰性烃类活剂内进行者。 4﹒一种制造下式化合物之方法,系令前述申 请专利范围第1项之生成物(1)与一种 氧化剂在氯化烃熔剂存在下相反应,由此 制成一种如下式(IV)所示之生成物者 :式中Y、R、及R2之定义均与前述申 请专利第1项相同,且其中之Z及Z1为 SO、SO2或为前述定义中之一者,但 当Z为氧时Z1为硫、S0或SO2;或 Z与Z1同时为S、SO或SO2者。 5﹒如申请专利范围第4项之方法,其中该氯 化烃溶剂系选自氯仿或二氯甲烷,且该氧 化剂系选自过氧化物或过氧酸者。 6﹒如申请专利范围第5项之方法,其中该氧 化剂系为间─氯过苯甲酸,且其存在浓度 系为一当量者。 7﹒如申请专利范围第6项之方法,其中该间 ─氯过苯甲酸浓度至少系为当量者。 8﹒一种如下式所示之化合物:式中Z及Z1 可为相同或互异,它代表氧或硫、SO或 SO2;如Z为氧,则Z1为硫、S0或 SO2;或Z与Z1同时为S、SO或S O2;Y系代表氮或CH;R代表乙撑或 丙撑或经甲基或乙基取代之乙撑或丙撑; R^2代表苯基、基、苯氧基、苯磺醯 氧基、苯硫基,或经溴、甲氧基或碘取代 之苯基,或代表经氯、溴、氮、三氟甲基 、C1─C4烷基或氮取代之苯氧基者。 9﹒如申请专利范围第8项之化合物,其中Y 系代表氮;Z系代表氧;Z1系代表硫或 SO2;R系代表乙撑,而R^2系代表 苯基、苯硫基、苯氧基,经溴取代之苯基 ,或经溴取代之苯氧基者。 10﹒一种由申请专利范围第8项之化合物及其 适用之载体所组成之组成物。 11﹒一种由申请专利范围第9项之化合物及其 适用之载体所组成之组成物。 12﹒一种控制细菌之方法,它系使用有效杀徽 剂量之如申请范围第8项之化合物者。 13﹒一种控制霉菌之方法,它系使用有效被徽 剂量之如申请范围第9项之化合物者。 |
