BURIED JUNCTION INFRARED PHOTODETECTORS

摘要

Un réseau de photodiodes est constitué d'un matériau du groupe II-VI, tel que HgCdTe, que l'on traite pour former une pluralité de jonctions de diodes. Ce réseau est fabriqué par un procédé consistant tout d'abord à réaliser une base absorbant le rayonnement (12), constituée d'un matériau du type p, à savoir Hg(1-x)CdxTe). Chacune des photodiodes est fabriquée par dépôt sur le substrat d'une couche (18) de matière de passivation à largeur de bande interdite plus grande, par dépôt d'une couche de photomasque (26) sur la couche de passivation et par élimination sélective de ladite couche de passivation à travers des ouvertures pratiquées à l'intérieur de la couche de photomasque. Un procédé d'élimination de cette couche de passivation (18) est le broyage ionique qui convertit également le matériau de substrat de type p sous-jacent en matériau de type n. La détérioration du réseau cristallin provoquée par le broyage ionique s'étend latéralement vers l'extérieur de sorte que la région de type n (14), et la jonction de diode p-n (16) qui lui est adjointe, sont disposées au-dessous de la couche de passivation (18). Dans une variante, le matériau de substrat est converti en un type opposé de conductivité par dépôt d'une couche de matériau source suivi d'un processus de diffusion.