| 摘要 |
<P>La cellule mémoire statique comprend : A) une bascule bistable 1 formée essentiellement d'un transistor MIS 20 et d'un transistor bipolaire 22 parasite dû à la structure du transistor MIS, les source 8 et drain 12 du transistor MIS constituant respectivement l'émetteur et le collecteur du transistor bipolaire, la région du canal du transistor MIS située entre la source et le drain jouant le rôle de base du transistor bipolaire, cette base étant totalement isolée de l'extérieur de la cellule mémoire, l'électrode de grille du transistor MIS étant isolée électriquement de la région du canal, et B) un circuit d'adressage 23, 25 de la bascule pour mémoriser une information binaire sous la forme d'une absence de courant ou de la présence d'un courant.</P>
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