| 摘要 |
<p>Cellule (10) de mémorisation adressable, composée, d'une part, d'un transistor interrupteur (20) à effet de champ dont la source (S) est reliée à la borne d'entrée (I) de ladite cellule (10), et dont la grille (G) est reliée à une horloge (H,H), et, d'autre part, d'une boucle (30) comprenant, un premier inverseur (31) en série sur le drain (D) dudit transistor interrupteur (20) et dont la sortie est reliée à la borne de sortie (O) de la cellule (10), et un deuxième inverseur (32) en série, le long de la boucle (30), avec ledit premier inverseur (31). Selon l'invention, ladite cellule (10) étant réalisée en arséniure de gallium, la boucle (30) comporte également une diode (33) placée dans le sens conducteur entre la sortie du premier inverseur (31) et l'entrée du deuxième inverseur (32), et une résistance (34) placée entre la sortie du deuxième inverseur (32) et l'entrée du premier inverseur (31). Application aux circuits intégrés numériques LSI.</p> |
